“型光掩模”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3180334个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法-CN200810132384.7无效
发明人：文载寅 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法，所述光掩模包括形成于线型图案(41)与岛型图案(43)之间的点型图案(45)。使用该光掩模制造半导体器件的方法改进器件的良率及生产率。
光掩模使用制造半导体器件方法

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202080082067.8在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202180029440.8在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及在反射层(2)上形成的吸收层
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法-CN200710137173.8有效
发明人：苏政学;何聪杰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法，包括以下步骤：(a)提供基板，该基板具有一表面；(b)形成负型感光材料于该基板的该表面上；(c)提供第一光掩模，该第一光掩模具有第一图案；(d)利用第一光束通过该第一光掩模对该负型感光材料进行第一次曝光程序；(e)提供第二光掩模，该第二光掩模具有第二图案，该第二图案的整体纹路大致上相同于该第一图案的整体纹路；及(f)利用第二光束通过该第二光掩模对该负型感光材料进行第二次曝光程序由此，该负型感光材料不会因产生破损而造成成品率损失的问题。
半导体制造工艺利用两个光掩模二次曝光方法

[发明专利]图案化方法-CN201510295058.8有效
发明人：王子嵩 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在材料层上形成依序包括第一掩模层与第一光致抗蚀剂层的多个掩模结构。在材料层上共形地形成覆盖掩模结构的第二掩模层。在掩模结构间形成第一牺牲层。移除部分第二掩模层而暴露第一光致抗蚀剂层，以于掩模结构间形成第一U型掩模层。移除第一光致抗蚀剂层与第一牺牲层。在材料层上共形地形成具有第一表面与低于第一表面的第二表面的第三掩模层。在第三掩模层的第二表面上形成第二牺牲层。移除部分第三掩模层而暴露第一U型掩模层的突出部，以形成第二U型掩模层。以第二U型掩模层的突出部为掩模，对材料层图案化。
图案方法

[发明专利]反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模-CN202310388811.2在审
发明人：樱井敬佑;三村祥平;石井丈士 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模。所述反射型光掩模坯料包括：衬底，在衬底上形成且反射曝光光(即极紫外范围内的光)的多层反射膜，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀图案化所述吸光膜中充当硬掩模膜。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，并由含硅且不含铬的材料组成，且第二层由含铬且不含硅的材料组成。
反射型光掩模坯料制造方法

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202080039794.6在审
发明人：合田步美;福上典仁 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供可以在抑制投影效应的同时提高掩模的寿命的反射型光掩模坯和反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、设置在基板(1)上并反射入射光的反射部(7)、以及设置在反射部(7)上并吸收入射光的低反射部(8)。低反射部(8)为至少2层以上的层叠结构。低反射部(8)的最表层(5)相对于EUV(Extreme UltraViolet：极端紫外线，波长13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模底板及其制造方法-CN200980131870.X有效
发明人：生田顺亮 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法，其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜，在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜，其特征在于，在形成上述多层反射膜后，通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
euv 光刻反射型掩模底板及其制造方法

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980123428.2无效
发明人：林和幸 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供具有对于EUV光和掩模图案检查光的波长区域的反射率低、特别是对于掩模图案检查光的整个波长区域(190～260nm)呈现低反射特性且对于氯系气体蚀刻的蚀刻速度快的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板一种EUV光刻用反射型掩模基板，它是在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层、吸收EUV光的吸收体层、对掩模图案的检查光(波长190nm～260nm)为低反射的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810175032.X有效
发明人：藤川最史;细谷邦雄;千叶阳子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n⁺型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n⁺型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。
半导体装置制造方法

[发明专利]负型光阻混合物及光阻图案形成方法-CN202010187210.1有效
发明人：高攀 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。
负型光阻混合物图案形成方法

[发明专利]相移型光掩模坯料和相移型光掩模-CN201910914432.6在审
发明人：高坂卓郎;小泽良兼 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供相移型光掩模坯料和相移型光掩模。具体提供一种相移型光掩模坯料，其包括透明衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，对于波长为200nm以下的光
相移型光掩模坯料

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN201980073304.1在审
发明人：古沟透;福上典仁;渡边原太;成田英辅 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供具有良好的耐照射性，并且能够得到良好的转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)在基板(1)的一个面上依次形成有反射入射光的反射层(2)、以及吸收入射光的吸收层(4)。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180029533.0在审
发明人：合田步美;山形悠斗;中野秀亮;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8)，低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成，吸收层(4)包含合计为50原子％以上的选自第1材料群中的1种以上，最表层
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180064457.7在审
发明人：松井一晃;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第2材料群的材料的层，第1材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面
反射型光掩模坯以及型光掩模

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top